Plus rapides, plus résistantes : la prochaine génération de cartes mémoire

Si actuellement la mémoire Flash est en vogue, elle n’est pas dénuée de défauts : gravure difficile dès 30nm, nombre limité de réinscriptions, etc. Les chercheurs sont donc en quête d’une nouvelle technologie plus performante, qui pourrait bien être la RRAM (Resistance RAM). Présentée par des chercheurs des laboratoires Samsung et ceux de l’Université coréenne de Sejong, cette technologie est basée sur du Tanatalum oxydé (TaOx), dont les propriétés dépassent celles des mémoires actuelles.

1 000 milliards de cycles d’écriture/réécriture


En effet la RRAM peut facilement se graver en 30nm, permet plus de 1 000 milliards de cycles d’écriture/réécriture (le record actuel est de 10 milliards), un meilleur temps de réponse et une capacité à conserver les données allant jusqu'à 10 ans à 85°C. De plus, aucun problème de ventilation n’est associé à cette nouvelle catégorie de mémoire. Il reste cependant de nombreuses années de développement avant de profiter des propriétés de la RRAM. Mais les années de la mémoire Flash sont peut-être déjà comptées.