Des chercheurs fabriquent un transistor d'1nm

Des scientifiques de l’Université de Berkeley ont utilisé du graphène et du disulfure de molybdène pour fabriquer un transistor particulièrement mince. En effet, l’épaisseur de la porte plafonne à 1 nm. Autrement dit, il est moins épais qu’un cheveu.

Même si le disulfure de molybdène freine les électrons qui vont ainsi moins vite par rapport à leur vitesse dans le silicium, il n’était pas évident de les contrôler. En effet, lorsqu’on ne parvient plus à les arrêter, on assiste à un phénomène connu sous le nom d’« effet tunnel ». Quand il survient, le transistor devient une passoire et le flux d’électrons ne s’arrête plus. Pour les scientifiques, cela équivaudrait à « la fin de l’électronique ».  

La production industrielle est encore loin

Cette découverte ouvre la voie à de nombreuses applications comme la réduction de la taille des processeurs. Néanmoins, plusieurs évolutions technologiques sont encore nécessaires avant d’y parvenir. Actuellement, le procédé utilisé pour fabriquer ces petits composants n’est pas encore calibré par rapport à cette finesse.

Posez une question dans la catégorie News du forum
Cette page n'accepte plus de commentaires
Soyez le premier à commenter
    Votre commentaire