C’est la course au processus de gravure 2 nm pour Samsung ! Le géant sud-coréen affirme arriver parmi les premiers dans l’industrie avec le SF2, son processus 2 nm de première génération qui permettra la production de masse dès 2025.
Le Samsung Foundry Forum se tient actuellement à San José en Californie. Le géant sud-coréen y dévoile chaque année ses avancées en matière de semi-conducteurs. C’est notamment à cette occasion que Samsung a révélé être prêt à produire des puces gravées en 2 nm d’ici 2025. La firme aurait également des projets de nodes spécialisés pour les puces IA et des puces automobiles. Petit tour d’horizon.
Samsung va produire des puces 2 nm en masse
Son processus de gravure 2nm de première génération, appelé SF2, sera prêt l’année prochaine. La version améliorée, nommée SF2P, arriverait dès 2026. Samsung affirme avoir également conçu SF2X, une version spécialisée du node 2 nm conçue pour les puces dédiée à l’intelligence artificielle (IA) et aux calculs hautes performances des serveurs. Cette puce qui promet d’attirer des entreprises comme Nvidia sera prête pour 2026.
Après le SF2, deux nouveaux nodes de pointe seraient au menu, répondant aux doux noms de SF2Z et SF4U. Le premier utiliserait une technologie avancée de “backside power delivery network” (BSPDN), capable d’améliorer encore l’efficacité énergétique et les températures des puces. SF2Z sera prêt pour la production de masse en 2027.
Samsung aurait également prévu une variante du processus 2 nm pour les puces automobiles. Le SF2A sera également prêt pour une production de masse en 2027. Ce processus bénéficierait d’une amélioration de son architecture de transistors Gate All Around (GAA), beaucoup plus efficace.
Avec ces processus de gravure 2 nm, Samsung affirme pouvoir offrir des puces à large bande passante, à haute performance et à faible consommation d’énergie qui peuvent être personnalisées en fonction des exigences de ses clients. La firme tient également tête à la concurrence de TSMC, qui suit un déploiement similaire de son processus 2 nm.
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Samsung prévoirait une puce SF3 pour le Galaxy S25
En attendant, Samsung s’en tient au 3 nm, qui entame une nouvelle étape dans sa carrière. Lancé en 2022 avec le SF3E, le 3 nm signé Samsung n’a pour l’instant décroché que des contrats pour des puces de minage de cryptomonnaies. La production de masse avec le processus 3 nm de deuxième génération est maintenant lancé, sous le nom SF3. La rumeur voudrait que ce soit Exynos W1000 qui en profite d’abord, puis l’Exynos 2500 du Galaxy S25.
Concernant le processus de gravure 4 nm :
- Le processus SF4X de quatrième génération serait mieux adapté aux puces dédiées à l’IA
- Le nouveau SF4A sera optimisé pour les puces automobiles.
- Le SF4U quant à lui, offrira des améliorations en termes de puissance brute. Il sera déployé à partir de 2025.
- Samsung compte produire des puces gravées en 2 nm à partir de 2025.
- L’entreprise prévoit des variantes dédiées aux calculs d’IA et à l’automobile.
- Samsung Fonderie continue de décliner ses processus 3 nm et 4 nm pour les améliorer.
Source : SamMobile
