Accueil » Actualité » Minage plus rapide des cryptos, smartphone plus autonome, IBM et Samsung révolutionnent les transistors

Minage plus rapide des cryptos, smartphone plus autonome, IBM et Samsung révolutionnent les transistors

La prochaine grande avancée technologique dans le domaine des puces approche à grands pas, mais il faudra être patient.

On pensait être arrivé aux limites de la loi de Moore, qui prédit que le nombre de transistors sur une puce double tous les deux ans, IBM en partenariat avec Samsung a annoncé leurs avancées dans la conception des semi-conducteurs. Puisqu’il devient difficile de réduire la taille des transistors, l’idée est de les empiler verticalement.

Image 1 : Minage plus rapide des cryptos, smartphone plus autonome, IBM et Samsung révolutionnent les transistors
Une nouvelle conception de puce qui repousse les limites que l’on croyait atteintes. Crédit : IBM

Cette nouvelle conception appelée VTFET, acronyme pour Vertical Transport Field Effect Transistors, devrait remplacer la technologie FinFET utilisée actuellement. Cela permettrait au courant de circuler également de manière verticale et donc de créer des puces bien plus denses que celles d’aujourd’hui.

La verticalité, l’avenir des composants

Puisqu’il devient compliqué de réduire la taille des transistors, les constructeurs explorent donc logiquement la piste de la verticalité. Intel a également annoncé aller dans cette direction en choisissant d’empiler les composants de la puce plutôt que les transistors.

Cette technologie devrait permettre d’obtenir des puces deux fois plus performantes avec une consommation réduite de 85 % par rapport à ce qu’il se fait aujourd’hui. Cela permettrait, selon IBM et Samsung, de créer des téléphones atteignant une semaine d’autonomie au lieu de quelques jours, de miner de la cryptomonnaie avec un impact énergétique et donc environnemental réduit ou de créer des objets beaucoup plus performants.

Le VTFET est encore loin d’être prêt pour une commercialisation grand public et il faudra compter sur la technologie 3 nm, qui a dû être reportée d’un an et 2 nm qu’IBM a présentée un peu plus tôt dans l’année. De son côté, Intel a annoncé une évolution du FinFET, baptisé RibbonFET, qui devrait apparaître sur les Intel 20A prévus pour 2024.

Le plan est donc pour les années à venir de pousser au maximum la possibilité de miniaturisation des transistors tout en préparant la transition vers une conception en trois dimensions.

A lire aussi > IBM a un processeur quantique de 127 qubits et explose le précédent record

Une fois de plus, les industrielles semblent déjouer les pronostics et ont trouvé un moyen de repousser l’échéance à laquelle il ne sera plus possible de suivre cette loi de Moore qui se vérifie depuis le début des années 1970.

Source : theverge